เมื่อผลิตเลเซอร์ความเร็วสูง สามารถใช้มาตรการต่อไปนี้เพื่อปรับปรุงแบนด์วิดท์ 3dB ของอุปกรณ์: 

1. ในพื้นที่ที่ใช้งานอยู่ มีการใช้โครงสร้างหลุมควอนตัมแบบหลายควอนตัม (ชดเชย)

วัสดุดักจับด้วยเลเซอร์ของหลุมควอนตัมอยู่ที่ด้านบนสุดของระดับรูหนักของแถบเวเลนซ์เนื่องจากแรงกดแบบแกนคู่ขนานกับระนาบหลุมและความเครียดแรงดึงที่ตั้งฉากกับระนาบหลุมเพิ่มขึ้น และแถบเวเลนซ์ด้านหลังเสื่อมลง แตกออก อิเล็กตรอนจากวงโคจรของสปินไปยังโพรงหนักที่มีความน่าจะเป็นในการเปลี่ยนผ่านเท่ากับศูนย์โดยประมาณ ลดความน่าจะเป็นในการรวมตัวกันอีกครั้งของสว่านที่อุณหภูมิห้อง ส่งผลให้กระแสธรณีประตูเลเซอร์ของหลุมควอนตัมลดลงและปัจจัยการปรับปรุงความกว้างของเส้นลดลง และความถี่การสั่นแบบผ่อนคลาย การมอดูเลต แบนด์วิธและค่าสัมประสิทธิ์การรับส่วนต่างดีขึ้นอย่างมาก

2. ยาสลบชนิด P ในพื้นที่ที่ใช้งานอยู่

การเติม p-type สามารถลดการขนส่งรูผ่านภูมิภาค SCH ซึ่งเป็นข้อจำกัดหลักสำหรับอุปกรณ์หลุมควอนตัมความเร็วสูง ยาสลบประเภท P สามารถได้รับความแตกต่างที่สูงมาก และทำให้การกระจายตัวของพาหะในควอนตัมมีความสม่ำเสมอมากขึ้น

หากความเข้มข้นของ Zn doping ในพื้นที่ที่ใช้งานอยู่ใกล้เคียงกับ 1,018 cm-3 แบนด์วิธ 3dB สามารถเข้าถึง 25GHz และความถี่การสั่นของอุปกรณ์สามารถเพิ่มเป็น 30GHz (ความยาวช่องคือ300μm) นอกจากนี้ยังมีปัจจัยที่เอื้อต่อการลดปัจจัยการปรับปรุง linewidth ที่เจืออย่างหนักและปรับปรุงอัตราขยายส่วนต่างเพิ่มเติม ซึ่งจะเป็นประโยชน์ในการปรับปรุงลักษณะการมอดูเลตของอุปกรณ์

3. ลดพารามิเตอร์กาฝากของไฟฟ้า

เพื่อลดพารามิเตอร์ปรสิตไฟฟ้าเลเซอร์ความเร็วสูงโดยเฉพาะอย่างยิ่งความจุปรสิตสามารถใช้ฉนวน Fe - InP regrowth เทคโนโลยีการฝังกลบได้ครึ่งหนึ่งในเวลาเดียวกันยังต้องลดพื้นที่อิเล็กโทรด การใช้โครงสร้าง mesa แคบแบบปรับแนวเอง (SA-CM) เพื่อลดความจุของกาฝาก วิธีการเติม Polyimide มักใช้เพื่อลดความจุของกาฝาก

4. ปรับปรุงความเข้มข้นของโฟตอนและอัตราขยายที่แตกต่างกันภายในเลเซอร์

ความถี่เรโซแนนซ์ภายในสามารถเพิ่มขึ้นได้โดยการเพิ่มความเข้มข้นของโฟตอนในช่องเลเซอร์ อัตราขยายที่แตกต่างกันสามารถปรับปรุงได้โดยใช้โครงสร้าง DFB เพื่อสร้างความยาวคลื่นการส่งสัญญาณและการดีจูนเชิงลบของความยาวคลื่นสูงสุด (-10 นาโนเมตร) ซึ่งสามารถเพิ่มแบนด์วิดท์การมอดูเลต -3dB